Memoria reprogramable

Memoria reprogramable
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Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967.

Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las principales son:

Celda FAMOS

Contenido

Estructura FAMOS

La estructura FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS) se muestra en la figura 1. Es un transistor MOS con su puerta de polisilicio aislada totalmente por dióxido de silicio. Para grabar la memoria, el drenador se polariza para alcanzar tensión de avalancha y los electrones de avalancha se inyectan en el óxido. Esta carga modifica la tensón umbral del transistor.

Celda MIOS

Estructura MIOS

Memoria EAROM de tecnología MNOS

La estructura MIOS (Metal-Insulator-SiO2-Si) es un transistor MOS con dos capas de dieléctricos distintos en la puerta. La clase más popular es la MNOS (Metal-Nitruro de silicio-Oxido de silicio-Silicio). Los electrones cruzan el SiO2 por efecto túnel y la capa de nitruro por emisión de Frankel-Poole. Los MIOS se pueden borrar electricamente, y son la base de las memorias EAROM (Electrically alterable ROM)

Celda SAMOS

Estructura SAMOS

La estructura SAMOS (Stacked-gate Avalanche-injection MOS) (Figura 3) proviene de la FAMOS, añadiéndole una segunda puerta. Esta segunda puerta, además de permitir el borrado eléctrico, facilita la escritura. Esta estructura es la base de las memorias EEPROM

Véase también


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