Tecnología de inyección integrada

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En la fabricación de los circuitos integrados, la tecnología de inyección integrada fue aquella que permitió una mayor densidad de integración, alla por los años 70.

Esta tecnología es considerada una evolución de los circuitos lógicos realizados con transistores acoplados directamente, en inglés direct coupled transistor logic, DCTL, que fueron desarrollados en los años 70. La tecnología DCTL tiene como principal inconveniente que no se logran transistores idénticos, es decir, que sus características sean exactamente las mismas entre ellos, y en especial su comportamiento con la temperatura.

El siguiente paso en la construcción de circuitos integrados dio paso a la tecnología TTL, que se convirtió en la estándar en dicho mercado, y especialmente las que incorporan el diodo Schottky, el gran problema de esta tecnología es la gran cantidad de resistencias que tienen las puertas TTL, ya que al ocupar una mayor superficie que los transistores, limitó la densidad de integración, esto impedía o impide poder alcanzar circuitos de gran escala de integración.

Para suplir este problema aparceió o nació la tecnología de inyección integrada o también llamada I²L para mantener la simplicidad de la tecnología DCTL, ya que esta utiliza por puerta un resistencia y evitar el problema citado anteriormente. La tecnología I²L se basa en la sustitución de los transistores con unión base-emisor en paralelo por un transistor multicolector.

Para poder elevar la capacidad de integración, en la tecnología I²L se sustituyen las resistencias de las bases por transistores PNP con su base conectada a masa, los cuales dan corriente a la base de los transistores conmutadores, y de ahí la denominaciónde lógica de inyección integrada.

Es normal realizar circuitos integrados que en su interior tienen tecnología I²L y en sus entradas y salidas etapas de acoplamientos, para lograr un compatibilidad con un circuito integrado fabricado con tecnología TTL, una ventaja más de esta tecnología es la poca corriente a través de los transistores (alrededor de 1 a 10 μA), lo que conlleva una disminuación elevada de la capacidad de disipación térmica, y esto conlleva poder elevar la densidad de integracón.

Por último resaltar que con el desarrollo de la tecnología MOS (siendo la más conocida la tecnología CMOS), ha hecho que la tecnología I²L que desplaza o poco utilizada, aunque todavía se utiliza en convertidores analógico-digital y digital-analógicos, microprocesadores,etc.

Bibliografía

• Enrique Mandado (1997, 7ªEdición). Sistemas Electrónicos Digitales. Boixareu Editores. ISBN 84-267-0804-8.