Diodo avalancha

Diodo avalancha

Diodo avalancha

Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión.

El diodo Zener está también diseñado para trabajar en inversa, aunque el mecanismo de ruptura es diferente al aquí expuesto.

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Usos

Protección

La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos contra sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que mientras la tensión se mantenga por debajo de la tensión de ruptura sólo será atravesado por la corriente inversa de saturación, muy pequeña, por lo que la interferencia con el resto del circuito será mínima; a efectos prácticos, es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensión del circuito por encima del valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra evitando daños en los componentes del circuito.

Fuentes de ruido de RF

Los diodos avalancha generan ruido de radio frecuencia; son comunmente utilizados como fuentes de ruido en equipos de radio frecuencia. También son usados como fuentes de ruido en los analizadores de antena y como generadores de ruido blanco.

y para el clima

Véase también

Referencias

  • Richard C Jaeger (1997). Microelectronic Circuit Design, ISE edición, McGraw-Hill. ISBN 0-07-114386-6.
  • Carl David Todd (1970). Zener and avalanche diodes. Wiley-Interscience. ISBN 0-471-87605-4.
Obtenido de "Diodo avalancha"

Wikimedia foundation. 2010.

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